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腦穿梭抗體

 

腦穿梭抗體可透過化學修飾或基因工程製造。基因工程插入之 VBT 編輯片段不會影響原有抗體的抗原結合之親和力。

 

腦穿梭抗體的體內生物分佈與藥物動力學

 

該抗體經 VBT 化學修飾並攜帶螢光示蹤劑。VBT 裝飾抗體在腦部及脊髓區域富集。透過測量螢光強度，腦穿梭抗體的 T_max  為1小時。

 

腦穿梭 Trastuzumab 單抗（HerBrain）體內療效評估

 

腦穿梭 Trastuzumab 抗體是透過化學結合與 DNA 工程製造的 VBT。 這兩種腦穿梭式 Trastuzumab 在攜帶腦腫瘤的小鼠身上進行抗腦轉移腫瘤活性測試，而這些腫瘤小鼠在顱內植入發光素表達的人類乳癌細胞。 無論是化學改造的腦穿梭 Trastuzumab，還是 DNA 工程腦穿梭 Trastuzumab ，都能抑制顱內腫瘤的生長。